三星在3nm以下制程领域的扩张计划正稳步推进，其2nm GAA工艺的良率已达到60%，这一进展让三星信心倍增。据透露，三星正在其位于美国德克萨斯州泰勒市的工厂进行下一代光刻技术的试生产。该工厂最初设计用于4nm晶圆制造，但三星已将其改造为2nm制程中心，这为其在与台积电的竞争中提供了显著优势。目前，台积电对其最先进2nm技术进入美国市场持限制态度。
三星泰勒工厂的部分区域已获得临时占用许可证（TCO），允许专业工程师进驻并加速生产运营。据此前报道，测试生产于今年3月启动，现场驻守员工超过7000人。为支持三星的大规模生产计划，荷兰光刻机制造商ASML也已派遣团队协助进行设备部署，以确保先进EUV光刻机的顺利运行。
若试生产顺利，泰勒工厂预计将在2026年投入运营，并于2027年实现全面量产。三星计划通过升级至2nm GAA工艺，进一步提升技术竞争力。与传统4nm光刻技术相比，2nm GAA工艺在性能和功耗方面表现更优。据悉，三星将利用这一技术生产Exynos 2600处理器，并已获得特斯拉等主要客户的订单。
此外，三星还赢得了来自美国无晶圆厂公司和云服务提供商的芯片订单，进一步巩固了其在美市场份额。由于台积电3nm产能受限，无法完全满足市场需求，三星成为众多客户的替代选择。三星计划通过提升良率来降低晶圆成本，并可能通过提供折扣价进一步增强竞争力。
