三星电子订购70台光刻设备，EUV占比近三成

据多位半导体行业人士4月6日透露，三星电子已向ASML及日本佳能发出采购订单，计划为其平泽园区5号工厂一期第一阶段引入约70台光刻设备。其中，极紫外（EUV）光刻机约20台，订单金额预计超过10万亿韩元。

这批设备将主要用于提升DRAM专用的10nm级第六代工艺（1c）的产能。随着1c工艺生产效率的提高，基于该工艺制造的第六代高带宽存储（HBM4）产量也将随之增长。三星电子今年2月已实现HBM4全球首次量产，并向英伟达供货。HBM4将搭载于英伟达最新高性能GPU“Rubin”中，预计今年下半年正式推出。

本次订购的光刻设备将配合平泽5号工厂一期洁净室（预计明年第一季度建成）投入使用。考虑到半导体设备运输通常需要约一年时间，预计三星将在明年第二季度将包括EUV在内的光刻设备导入洁净室。因此，明年上半年其1c DRAM及HBM4产能有望大幅提升。

与此同时，三星电子也在扩大华城H3 17线以及平泽P3、P4工厂的HBM4产能。随着EUV设备陆续导入，三星的DRAM与HBM4产量预计将同步提升，进一步巩固其在存储芯片市场的领先地位。

一位业内人士表示，由于HBM4预期出货量大增，三星决定优先扩建DRAM产线。预计从明年第二季度开始，EUV设备将陆续导入，助力产能扩张。