4月2日，据外资投行摩根士丹利针对美光科技（Micron）的跟踪报告显示，美光董事长兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投资人会议中透露，尽管美光正在加速扩产DRAM，但新产能最快要到2027年底才能出货。因此，DRAM供不应求的局面将持续至2027年。此外，部分关键半导体设备的产能不足也是导致这一现象的重要原因。
目前，人工智能芯片对高带宽内存（HBM）的强劲需求，成为DRAM市场供不应求的核心瓶颈。美光计划在2025年第三季度将其HBM市场份额提升至与整体DRAM市场份额持平的水平。同时，美光看好未来HBM4E与HBM5技术导入定制化逻辑芯片后，将进一步提升HBM的价格、成本与利润率。从HBM3E过渡到HBM4/5时，对DRAM产能的消耗比例可能高达4:1，而目前HBM制造的良率仅在50%-60%左右，这将进一步加剧DRAM市场的供需失衡。
为应对这一结构性变化，美光已启动“战略性客户协议”（SCA），并与客户签署了一份为期五年的长期合约，以确保资本支出的合理回报率（ROIC）。这一举措表明，美光的运营模式正逐步摆脱传统周期性波动，展现出更强的持久性。
在财务表现方面，美光最新季度的毛利率指引高达81%，管理层还设定了远期目标，计划将毛利率维持在80%区间中段。尽管近期市场对DRAM现货价格下跌及部分过量出货传闻表示担忧，但美光认为这些因素影响有限，并预计到2027年每股盈余（EPS）将至少达到100美元。
在扩产计划上，美光大幅上调资本支出预算，预计2026财年资本支出将达250亿美元，2027财年更可能突破370亿美元。美光计划让所有产线具备EUV设备能力，以支持HBM及先进制程DRAM的制造。然而，美光预计首批新建晶圆厂的产能最快要到2027年底才能出货，预计到2028年才会对市场供给产生实质性影响，届时DRAM市场可能实现供需平衡。在此过程中，极紫外光刻（EUV）设备的供应尤为关键，但目前EUV设备的产能有限且交付周期较长。
针对地缘政治风险，美光强调其产能布局分散，并作为美国供应商，相较于日韩竞争者具有显著的战略优势。
