韩国化合物半导体取得突破，GaAs关键制程良率达95%

据韩媒ET News报道，韩国在化合物半导体领域取得重要进展，特别是在砷化镓（GaAs）制程技术上实现了突破。韩国纳米技术院（KANC）在4寸砷化镓高速电子迁移率晶体管（mHEMT）制程中，成功将良率提升至95%以上，标志着该技术已具备量产能力。

GaAs mHEMT是一种化合物半导体元件，通过异质结构设计显著提升电子迁移率，被认为是突破传统硅基半导体物理极限的关键技术之一。与硅材料相比，砷化镓的电子移动速度可提高5~6倍，因此在毫米波和超高频应用中表现出低失真和高增益的特性，广泛应用于射频（RF）和高频放大元件。

此外，GaAs元件在高辐射和极端环境下具有优异的稳定性与可靠度，能够满足太空设备和军用系统的严格要求。这使其成为主动电子扫描阵列（AESA）和飞弹寻标器等国防系统中的核心元件，具有重要的战略意义。

长期以来，韩国在砷化镓材料的生产上面临诸多挑战，包括材料脆性高、制程难度大等问题，导致超过90%的相关核心元件依赖进口。此次KANC成功将制程平台从2~3寸扩展至4寸晶圆，并实现高良率，不仅提升了单片晶圆的产出效率，也为国产供应链的建立奠定了基础。

在生态建设方面，KANC正在开发整合收发信号芯片（MMIC）的制程设计套件（PDK），涵盖制程参数和模型数据，为IC设计公司提供电路设计与模拟支持。同时，KANC还计划引入多项目晶圆（MPW）服务模式，在单一晶圆上整合多种设计方案进行试产，降低中小型IC设计公司的开发成本和周期。

业界认为，4寸GaAs制程平台的建立是推动韩国化合物半导体自主化的重要里程碑。在良率达到95%的情况下，该技术已具备实际应用和小量量产能力，未来有望进一步扩展至更大尺寸晶圆和多元化应用领域。