据韩媒ET News报道，三星电子近期已完成其位于中国西安工厂NAND Flash的第一阶段先进制程转换工作。原有的128层V6 NAND已全面升级为236层V8 NAND，并进入量产阶段。与此同时，三星计划在2026年内完成新一代286层V9 NAND的转换并正式投产。
西安工厂在三星的全球NAND生产中占据重要地位，其产量约占三星全球总产量的40%。随着此次制程转换完成，V8及V9等新一代NAND的生产能力将显著提升。此外，三星还计划加速研发采用400层以上技术的V10 NAND，以应对市场对高效能存储产品的需求。
业界分析指出，三星推进制程转换的原因包括市场需求变化和外部环境压力。一方面，AI基础设施投资的扩大推动了企业级固态硬盘（eSSD）对高效能NAND的需求增长；另一方面，中美贸易冲突导致先进NAND制造设备输入中国受限，也促使三星加快技术升级步伐。
三星表示，虽然具体生产时程无法对外确认，但公司将继续推进次时代NAND技术的转换，以巩固其在存储市场的竞争优势。
