据韩媒Chosun Biz援引业界消息，三星电子与SK海力士计划在2026年第2季大幅上调服务器用DRAM的合约价格，涨幅预计达30%~40%。这将是继2026年第1季调涨后，价格再次显著攀升。由于供应持续紧张，服务器用DRAM的营业利润率有望突破80%，甚至超越高带宽存储器（HBM）的获利能力。
全球投资银行及证券公司分析指出，两家公司的服务器用DRAM营业利润率将从此前的50%~60%大幅提升。相比之下，尽管HBM仍是AI存储器市场的核心产品，其主力型号HBM3E的营业利润率仅维持在60%左右。这表明通用型DRAM的供需失衡问题已达到前所未有的程度。
据知情人士透露，尽管HBM是目前全球半导体市场中最昂贵的产品，但通用型DRAM的获利能力却更胜一筹。正如三星与SK海力士在2025年第4季财报电话会议中所预测，通用型DRAM的获利能力已反超HBM，成为市场焦点。
市场研究机构指出，由于三大存储器厂商的资本支出短期内难以显著提升产能，三星与美光的新增产能预计要到2027年下半年才能对市场产生实质贡献。路透社此前报道称，存储器厂商将大量DRAM晶圆转投HBM生产，进一步压缩了通用型DRAM的供应。
业界普遍认为，这种供需失衡的局面可能持续至2027年。尽管未来涨幅可能有所放缓，但供应紧张的状态预计难以缓解，主要原因在于DRAM产能扩充速度远不及市场需求的增长。
