中国科学院微电子研究所于24日发布讣告，中国科学院院士、我国杰出的微电子科学家吴德馨因病医治无效，于3月23日下午在北京逝世，享年90岁。
吴德馨1936年12月出生于河北乐亭，1961年从清华大学无线电电子工程系毕业，成为该校首批半导体专业毕业生。毕业后，她被分配至中国科学院半导体研究所工作，1986年调入中国科学院微电子中心（现微电子研究所），历任助理研究员、研究员、中心副主任、主任等职，并于1991年当选为中国科学院院士。她曾荣获国家科技进步二等奖、北京市科学技术一等奖等多个重要奖项。
吴德馨是我国半导体与集成电路研究领域的开拓者之一，为国家微电子事业的发展作出了卓越贡献。在半导体所工作期间，她作为课题负责人承担了“平面型高速开关晶体管的研究”，成功解决了提高开关速度的关键问题，其技术水平达到当时国际同类产品的标准。该技术在中国科学院109厂和上海器件五厂推广应用，为“两弹一星”配套的“109丙”计算机提供了核心器件，取得了显著的经济和社会效益。
1986年，吴德馨调入中国科学院微电子中心后，作为主要负责人开展了N沟MOS 4K、16K和64K动态随机存储器（DRAM）的工艺研究，首次在国内成功研制出4K和16K位DRAM。她还开发出双层多晶硅和差值氧化工艺，突破了我国大规模集成电路成品率低的瓶颈，为集成电路工业生产奠定了基础。
1991年，吴德馨担任微电子中心主任期间，领导开发了0.8微米CMOS全套工艺，推动科研成果和产品开发效益不断提升，开创了微电子中心发展的新局面。即便离开领导岗位后，她仍坚持科研工作，成功研制出0.1微米砷化镓/铝镓砷异质结场效应晶体管，并在国内首次实现全功能砷化镓/铟镓磷HBT 10Gbps光纤通信光发射驱动电路。
在担任全国人大常委会委员期间，吴德馨认真履行职责，多次向中央领导汇报微电子技术发展趋势并提出建议，积极参与国家和中国科学院发展规划的制定，主持撰写两院院士对国家集成电路发展的咨询报告，为推动我国半导体事业的发展作出了重要贡献。
