据彭博、路透和CNBC等综合报道，美光（Micron）最新发布的截至2026年2月的第二财季财报显示，其营收同比增长196%，达到238.6亿美元，净利激增770%，达到138亿美元。毛利率高达74.4%，表明需求强劲的同时，价格飙升也带来了更高的利润空间。
美光预计，2026年DRAM位元出货量的增长率将上调至“低20%”区间，略高于之前的预期，而NAND位元出货量则预计增长约20%。美光自身的DRAM和NAND供给增长幅度也将与行业整体步调一致。
然而，供给端面临严峻挑战。美光指出，多重结构性因素正在制约位元供给的扩张速度。在DRAM领域，无尘室产能不足、新厂建设周期漫长，以及HBM占比快速攀升是主要限制因素。HBM产品消耗的晶圆面积较大，加上制程节点迁移导致每片晶圆的位元产出增长放缓，进一步压缩了整体供给弹性。在NAND领域，无尘室空间的限制同样显著。部分供应商为应对HBM的高获利机会，将原本用于NAND的无尘室产线转作他用，加剧了NAND产能的紧缩。
美光强调，这并非短期波动，而是结构性转变。随着AI服务器对HBM需求的爆炸性增长，以及传统数据中心与终端应用的复苏，存储器产业正面临前所未有的产能分配难题。无尘室作为半导体制造的核心资源，其扩建速度远跟不上需求增长，加上建厂前置时间拉长，意味着供给缺口难以在短期内填补。
市场数据显示，DRAM现货价格自2025年下半年以来已累计上涨逾500%，供给限制与产能扩张难度提高，使存储器厂具备更强的定价能力。市场普遍预期，存储器价格高峰可能延续至2027年后，形成所谓的“超级循环周期”。
不过，风险也在逐步浮现。首先，存储器产业的高周期性仍未改变，历史上不乏供给扩张后价格暴跌的情况。因此，有分析预测，美光的营收增长率可能由2026年的逾100%增幅，在2027年快速降至约36%，甚至到2028年出现负增长，显示高基期压力将逐步显现。
其次，地缘政治与供应链风险有增无减。半导体制程关键原料如氦气供应，可能受中东局势影响而波动，进一步冲击产能稳定性。此外，NVIDIA作为HBM最大需求来源，其产品路线或供应策略变化，将直接影响存储器厂出货结构与市占表现。
综合观察分析，美光正以大规模资本支出押注AI长期需求，预计FY26投资逾250亿美元，FY27再加码至350亿美元以上，试图在HBM与高端存储器市场建立结构性优势。然而，其展望存在两大变量：一是AI投资动能能否持续；二是供给扩张步调是否过快。若两者间可取得平衡，存储器产业有望迎来史上最长景气循环；反之，过度扩产则恐重演过往的剧烈修正周期。
