美光近日宣布，专为英伟达Vera Rubin平台设计的三大关键组件已进入全面量产阶段，预计将在2026年第一季正式投放市场。其中，HBM4 36GB 12H的数据传输速率超过11 Gb/s，总带宽突破2.8 TB/s，相较同容量HBM3E，带宽提升2.3倍，能效优化超过20%。此外，48GB 16H版本已向客户送样，该版本实现了16层堆叠技术。
同时，美光还推出了SOCAMM2模组，容量高达192GB，进一步满足高性能计算需求。此外，其PCIe Gen6 SSD 9650成为全球首款面向数据中心的产品，为高性能存储解决方案树立了新标杆。凭借这三大组件，美光成为首家全面覆盖Vera Rubin生态系统的供应商。
在扩产方面，美光已完成对力积电铜锣厂区的收购，并计划在此兴建第二座先进制造工厂。据消息透露，新厂规模与现有厂房相当，预计将增加27万平方英尺的无尘室空间。新厂预计于2028财年开始支持先进产品的量产，进一步提升HBM的供应能力，为市场提供更强大的技术支持。
