据韩媒Chosun Biz采访报道，三星电子存储器开发负责人黄相俊透露，到2026年，三星计划将用于AI数据中心的高带宽存储器（HBM）产量较2025年提升3倍以上。目标是让其第六代HBM（HBM4）在整体HBM出货中的占比超过50%。
黄相俊表示，在当前供应略显不足的情况下，三星优先集中供应高端产品，这对整个产业而言是正确的选择。针对全球存储器供应紧张的情况，他认为有必要采取策略性调度，区分战略合作伙伴与量产供应客户，合理分配出货量。
此外，三星正配合NVIDIA的AI芯片发布节奏，采取“以年为单位”推出HBM新品的策略。NVIDIA CEO黄仁勋曾公开感谢三星支持其推论芯片Groq 3语言处理器（LPU）的生产。该芯片将在三星韩国平泽厂区生产，预计于2026年第三至第四季度初启动量产。
Groq 3 LPU芯片面积超过700mm²，属于超大型裸晶，每片晶圆仅能生产约64颗。芯片内部70%-80%的空间被配置为SRAM，以减少对外部HBM的依赖，同时支持芯片本身执行高速推论任务。黄相俊指出，Groq早在与NVIDIA签订授权协议前已是三星晶圆代工的客户，基于产品满意度，双方决定维持现有生产合作关系。
