据韩媒iNews24、每日经济等报道，在NVIDIA年度开发者大会GTC 2026期间，SK集团会长崔泰源表示，全球存储器芯片供应短缺问题将持续至2030年。SK海力士计划加速在韩国既有基地的扩产，暂不考虑将制造能力转移至美国。此外，SK海力士还将推出稳定DRAM价格的新计划。
崔泰源指出，存储器芯片短缺的主要原因是晶圆供应不足，而增加晶圆供应至少需要4~5年时间。预计到2030年，供应缺口将超过20%。他同时警告，AI技术对GPU需求增加，而GPU依赖高带宽存储器（HBM）。一旦HBM产量大幅提升，普通DRAM的供应可能面临短缺风险。为此，SK海力士CEO郭鲁正将公布稳定DRAM价格的相关计划。
在扩产方面，崔泰源解释称，无论在何处建厂，时间成本基本相当。韩国已有成熟的产业基础，能够更快响应市场需求，因此扩产将聚焦韩国本土。此外，海外设厂需满足电力、水源、建设条件及工程人才等多重条件，实施难度较大。
崔泰源还高度评价台积电，称其为“非常好的伙伴”。他表示，没有台积电的支持，开发Vera Rubin等解决方案将无法实现。
在GTC 2026展会上，SK海力士的展位分为NVIDIA合作区、产品组合区及高带宽存储器（HBM）活动区，重点展示其AI专用存储器产品系列。其中，NVIDIA合作区展示了GB300芯片及其搭载的HBM3E，现场还设有互动模型，供参观者体验HBM3E与GB300的连接过程。
此外，SK海力士还展出了HBM4的结构模型，该模型将实际HBM放大100万倍，展示了其技术细节。定制化HBM部分则通过结构模型和视频展示了Stream DQ架构，该架构通过序列方式优化处理器与存储器间的数据流动，进一步提升性能。
