据Wccftech和韩媒Chosun Biz援引业界消息，三星电子半导体暨装置解决方案部门正对DRAM生产计划采取更加审慎的态度。其担忧因AI热潮带来的存储器超级周期可能在持续1~2年后再次进入低迷，2028年左右或面临供给过剩风险。
事实上，三星与SK海力士在新冠疫情后曾经历多季度的DRAM需求疲软。当时，PC市场需求动力不足，企业端需求也较为缓慢，导致市场出现供给过剩，韩国供应商一度陷入困境，直到近期才有所缓解。
近期分析指出，AI热潮过后，存储器需求将更加不规律，供应周期缩短，使得准确计算生产规模和投资变得更加困难。因此，在对次世代高带宽存储器（HBM）产品群与先进制程转换进行大规模投资的同时，如何应对不可预测的需求成为关键。
目前，存储器供应商预计不会对既有扩产计划作出重大调整，原因在于客户对HBM与DRAM产能的需求仍在增加。然而，一旦基础设施需求增速放缓或趋于稳定，存储器供应商就必须重新调整生产规模。
美光正在中国台湾地区、新加坡、美国等地扩建DRAM产线，并自2025年起为增加HBM产量进行大规模设备下单。考虑到建立生产线通常需要约2年时间，从2028年起，三星、SK海力士、美光等存储器企业的产能规模都将大幅提升。
NAND市场方面，除了三星、SK海力士和美光，还包括铠侠与长江存储等企业。随着技术与产能提升，市场参与者增多，分析认为若维持目前速度，NAND可能比DRAM更早出现供应过剩。
据相关人士透露，三星与SK海力士直到2025年夏天仍未预测到当前的存储器超级周期，这表明半导体景气预测与投资计划制定正变得愈加困难。
