据报道，台积电已实现2nm工艺的量产，而1nm工艺的研发和建厂计划也在稳步推进。
日前有消息称，台积电计划在台南沙仑园区建设1nm工艺的生产基地。该园区总面积达531公顷，预计今年4月进入二期环评阶段，并于2027年第三季度完成最终环评。园区交付后，台积电将启动初期规模约200公顷的建厂计划。根据规划，沙仑园区将建设6座晶圆厂，其中P1至P3厂主要针对1.4nm工艺（A14），P4至P6厂则专注于1nm工艺，未来还可能进一步拓展至0.7nm工艺。
台积电此前公布的路线图显示，其2nm工艺（N2）已于去年底量产，预计今年将被苹果、AMD等公司大规模采用。而面向NVIDIA费曼GPU的A16工艺（1.6nm级别）计划于今年底试产，并于2027年正式量产。A16之后，台积电将推出A14工艺（1.4nm级别），采用第二代GAA晶体管结构及背面供电技术，预计于2028年问世。
至于1nm工艺（A10），台积电尚未披露过多技术细节，但有传闻称其可能从GAA晶体管结构升级至CFET，甚至可能引入2D材料。按计划，1nm工艺将于2030年面世，届时台积电的目标是实现单芯片集成2000亿晶体管，并通过3D封装技术达到1万亿晶体管的规模。这一目标与英特尔此前提出的1万亿晶体管愿景不谋而合，但谁能率先实现仍是未知数。
