SK海力士为加速先进制程布局，斥巨资提前采购EUV设备

据韩媒Dealsite援引业界消息，SK海力士计划在2026年大幅增加资本支出，预计总额将达到40万亿韩元，较2025年的28万亿韩元显著提升。其中，超过一半的资金将用于设备投资，其余则用于基础设施建设，以加速先进制程的转换。

SK海力士日前宣布，到2026年将把超过一半的DRAM产能用于生产1c纳米产品，主要生产基地包括利川的M14与M16工厂，清州的M15X工厂也将部分导入1c DRAM产线。按照当前投资进度，预计到2026年底，1c DRAM的月产能将达到约19万片晶圆。

在NAND Flash领域，SK海力士正以清州M15工厂为中心进行生产结构调整。具体措施包括将利川M14的NAND产线转移至M15，并升级至第9代321层NAND制程。据业内人士透露，若进展顺利，产线转移预计将在2027年第二季度完成。

此外，SK海力士在高带宽存储器（HBM）领域的设备投资也备受关注。据传，SK海力士已向韩美半导体与韩华Semitech订购了5台热压键合机（TCB），主要用于补充HBM3E产线。业内人士指出，2026年SK海力士预计将订购约60台用于HBM4的TCB设备，这将为相关设备供应商带来新的订单机会。

值得注意的是，SK海力士为加速先进制程布局，计划在2026年再引入约10台极紫外光（EUV）曝光设备。由于EUV设备供应有限，各大半导体厂商之间的竞争十分激烈。据业内人士透露，SK海力士为提前取得设备，向ASML支付了约15%~20%的溢价费用。以每台EUV设备约3,000亿韩元的价格计算，这意味着每台设备的成本可能增加约600亿韩元。