据报道，2026年3月10日，IBM与泛林集团宣布达成合作，共同开发支持1nm以下逻辑芯片微缩的新工艺与材料。双方将基于长期合作经验，重点开发新型材料、制造工艺以及高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻技术，以推动IBM逻辑芯片微缩路线图的实现。
IBM与泛林集团的合作已持续十余年，在7nm、纳米片和EUV工艺技术方面取得显著成果。根据新协议，双方计划在未来五年内将逻辑器件微缩技术推进至1nm以下节点。合作内容包括开发先进蚀刻与沉积技术、应对复杂器件架构的新型材料，以及优化High NA EUV光刻工艺，为下一代互连和器件图案化提供技术支持。
然而，当制程进入1nm或以下时，半导体行业将面临多重技术挑战。例如，量子效应和漏电问题可能导致晶体管性能不稳定；材料与光刻技术的限制使设备与制程成本大幅增加；芯片架构与设计也需要重新调整，如采用纳米片、纳米堆叠或背面供电等新技术。
IBM半导体总经理兼研究院混合云副总裁Mukesh Khare表示：“Lam一直是IBM的重要合作伙伴，在逻辑微缩和器件架构方面贡献显著，例如纳米片技术及2021年发布的全球首款2nm节点芯片。我们期待通过扩大合作，共同应对1nm以下节点工艺的挑战。”
泛林集团首席技术与可持续发展官Vahid Vahedi指出：“随着行业进入3D微缩时代，材料、工艺和光刻技术的整合至关重要。我们很高兴与IBM携手，推动High NA EUV光刻技术的突破，为低功耗、高性能晶体管的开发铺平道路。”
此次合作将依托IBM位于纽约州奥尔巴尼纳米科技园区的研究能力，以及泛林集团的先进工艺工具，包括Aether®干式光刻胶技术、Kiyo®和Akara®蚀刻平台、Striker®和ALTUS® Halo沉积系统等。双方将构建并验证纳米片、纳米堆叠器件及背面供电的完整工艺流程，确保High NA EUV光刻技术在实际器件层中的可靠应用，为未来逻辑器件的量产提供支持。
