据摩根大通在2026年3月8日韩国大会上的研报显示，SK海力士管理层明确表示，内存上行周期的持续时间将超出市场预期。摩根大通维持对SK海力士的增持评级，目标价定为125万韩元，较当前股价有约35%的上行空间。DRAM和NAND两端均面临严峻的供需缺口，供应商及渠道客户库存低于平均水平，出货量与产量增长基本持平。
SK海力士管理层指出，定制化内存解决方案的崛起、HBM带来的晶圆与供给经济学变化，以及AI推理需求向传统DRAM和NAND延伸，是内存上行周期延长的三大核心驱动因素。HBM业务作为核心增长引擎，其HBM4量产爬坡时间表保持不变，预计HBM4位元出货量将在2026年第三季度实现交叉。SK海力士重申将维持与去年相近的HBM业务盈利水平。
投资者对长期供货协议（LTA）及周期持续性表现出浓厚兴趣。SK海力士表示，存储器行业正处于商业模式转型阶段，维持存储器上行周期是首要战略优先级。LTA多为三年以上的多年期协议，通过更具约束力的双边协议，锁定供货量和价格区间，提升收入与现金流可见性。摩根大通判断，SK海力士正采取均衡的LTA策略，在B2B与B2C客户结构间寻求平衡。
在产能规划方面，SK海力士推行“工厂优先”战略，披露了约22兆韩元的基础设施资本开支计划，核心聚焦龙仁基地的分阶段推进。龙仁1号厂第一阶段量产时间表提前三个月，剩余2至6阶段将在2028年至2030年间逐步就绪，实际产能规模将受存储楼设计及1dnm制程部署时间表影响。
股东回报方面，SK海力士展现出更进取的态度，2026年1月已宣布1兆韩元特别股息及库存股注销计划，在确立实现净现金头寸首要目标的基础上，保留提前分配额外股东回报的灵活性。
在AI时代全面爆发的背景下，HBM4成为全球内存大厂的竞争焦点，SK海力士与三星电子的HBM4主导权争夺战已进入白热化阶段。SK海力士已启动HBM4首批量产，以抢占市场先机。
英伟达对HBM4提出了极高的规格要求，单个引脚传输速度需达到11.7Gbps，导致SK海力士在2.5D封装测试中遭遇效能瓶颈。但市场预计英伟达可能将初期采购的HBM4效能条件放宽至10Gbps等级。
目前限制HBM4效能提升的核心瓶颈是输入/输出端子（I/O）数量的急剧扩张。SK海力士正推进一项全新封装技术，核心是增加部分上层DRAM厚度、缩减DRAM间间距，既解决传统薄化制程导致的芯片效能衰退和易受损问题，又能缩短数据传输路径、降低电力损耗。这项技术若成功商业化，将对半导体产业链产生颠覆性影响。
