据最新市场数据显示，今年2月存储现货价格整体上涨，其中NAND快闪存储晶圆涨幅最为显著。专家警告，供需缺口持续扩大，现货价格快速攀升，采购资金压力同步增加。若此趋势延续，业界可能面临周期性崩溃风险。
具体来看，DDR5 16G(2Gx8)芯片均价涨至39美元，月增7.4%；1Tb TLC快闪晶圆价格涨至25美元，月涨幅达25%，成为当月涨幅最高的产品。尽管春节假期导致2月中旬交易降温，但节后市场迅速回暖，价格继续上扬。
DDR4的表现则较为分化。16Gb(2Gx8)价格几乎持平，仅微涨0.26%至78.1美元，而8Gb(1Gx8)上涨6.8%至33美元。与今年1月普遍20%至30%的涨幅相比，DDR4涨势明显放缓。DDR3 4Gb(512Mx8)则上涨7.5%至5.70美元，专家认为此现象多为季节性因素，而非市场压力缓解。
与此同时，合约价格预期也大幅上调。据TrendForce上月初消息，2026年第一季传统DRAM合约价涨幅从55%至60%上调至90%至95%，PC DRAM更预计季度涨幅翻倍，创下新纪录。NAND合约价则从33%至38%上调至55%至60%。
价格飙升的主要原因是AI基础设施建设推动了服务器DRAM与HBM需求，持续吸纳产能，导致传统DRAM与消费级NAND供应紧张。
在NAND市场，2月现货涨价仅是长期趋势的一部分。自去年10月以来，1Tb QLC/TLC晶圆价格已上涨约三倍，512Gb TLC更猛涨近五倍。厂商将更多产能转向高利润企业级SSD，压缩了模组厂的晶圆供应，进一步推高市场价格。
