三星电子正在韩国平泽加速扩建半导体生产基地，以应对人工智能（AI）驱动的通用DRAM和高带宽存储器（HBM）需求增长。据韩联社报道，平泽园区占地约87万坪，是全球规模最大的半导体生产园区，目前已有4座工厂投入运行。
三星计划于2026年4月起为平泽第五工厂（P5）增加约1万名作业员，用于无尘室等关键设施建设，预计该工厂将在2028年正式启用，并成为次世代HBM产品的核心生产基地。此外，平泽第四工厂（P4）和P5将共同支撑未来AI半导体市场的需求变化，强化HBM4、HBM4E及HBM5等产品的中长期供应能力。
据业内人士透露，三星计划在2025年第四季度通过扩大通用DRAM和HBM3E的销售，成为韩国首家单季营业利润突破20万亿韩元（约合140亿美元）的企业。凭借其庞大的产能优势，三星在短短一年内重新夺回了DRAM市场的龙头地位。
此外，三星在HBM4的生产中结合了第六代10纳米级1c DRAM技术和自家4纳米制程基础裸晶（base die），进一步提升良率和产能利用率。目前，平泽二厂（P2）和三厂（P3）的4纳米、5纳米及7纳米制程晶圆代工产线稼动率已接近峰值，良率也在逐步改善。
韩国业界分析认为，三星将扩大向NVIDIA等全球大型客户供应HBM产品，预计到2026年在HBM市场占据约30%的份额。随着AI半导体需求的持续增长，存储器产业逐步回暖，平泽园区的扩建和稼动率提升将显著推动三星整体业绩改善，进一步巩固其全球领先地位。
