据Wccftech报道，美国高通公司在MWC 2026上推出了新一代5G基带平台Qualcomm X105 5G Modem-RF，同时发布了Snapdragon Elite Wear穿戴芯片，进一步强化5G-Advanced和边缘AI领域的布局，为未来6G技术的发展奠定基础。
高通执行副总裁Durga Malladi表示，X105不仅在速度和能源效率方面实现显著突破，还通过AI整合实现了智能化连接，为6G研发和边缘AI普及提供支持。
X105是全球首款符合3GPP Release 19标准的基带射频系统，采用6纳米制程工艺，芯片面积较前代缩小15%，功耗降低最多30%。其支持L1、L2、L5、L6四频段GNSS定位，定位功耗减少25%。此外，X105整合了NR-NTN非地面网络技术，支持5G卫星连接，可实现视讯、语音和数据传输，即便在移动网络和卫星信号不可用的情况下，也能通过NB-IoT作为备用方案，增强地下室、地铁等弱信号场景的覆盖能力。
在速度方面，X105的下载峰值达到14.8 Gbps，上传最高可达4.2 Gbps，Sub-6 GHz频段下载速度亦能达到13.2 Gbps。其内置第五代AI处理器，可通过自主式AI识别使用场景，动态调整数据流量与功耗，优化移动游戏、视讯通话和社群应用的体验。
与此同时，高通推出的Snapdragon Elite Wear芯片聚焦智能手表和AI穿戴设备市场，主打终端生成式AI运算能力。该芯片采用台积电3nm制程，配备1颗2.1GHz高效能核心和4颗1.9GHz高效率核心（非Oryon架构），并整合Hexagon NPU，能够本地执行最高20亿参数的模型。
官方数据显示，Snapdragon Elite Wear的首次回应时间（TTFT）仅为200毫秒，每秒可处理10个token，单核心性能较Snapdragon W5+ Gen 2提升最高5倍，GPU帧率表现提升7倍。在连接性方面，该芯片支持5G RedCap、低功耗Wi-Fi、NB-NTN非地面网络、蓝牙6.0、GNSS和UWB等六项技术，进一步强化物联网和近距离互联应用。
续航能力方面，Snapdragon Elite Wear引入矽碳电池，续航时间较前代提升约30%，并可在10分钟内充电至50%，满足穿戴设备全天候使用和快速充电的需求。
分析认为，X105将巩固高通在5G-Advanced时代的技术领先地位，并通过R19架构提前布局6G测试与标准制定。而Snapdragon Elite Wear则将AI运算从云端推向终端设备，推动智能穿戴设备从健康监测工具向个人AI助理平台转型。
高通正通过多线推进，扩展智能手机、延展实境（XR）、PC、车联网（V2X）和工业物联网（IIoT）产品组合，构建智能联网生态系统。
