据媒体报道,Kioxia(铠侠)近期已向客户送样符合UFS 5.0标准的嵌入式闪存评估样品。这一标准基于M-PHY 6.0与UniPro 3.0协议,双通道理论读写速度高达10.8GB/s,单通道接口速率可达46.6Gbps。其设计目标是满足旗舰智能手机在端侧AI、高负载多任务等场景中的需求。
样品采用第八代BiCS FLASH 3D闪存技术,提供512GB与1TB两种容量选择,封装尺寸仅为7.5×13mm,非常适合高端手机节省主板空间。与此同时,美光也宣布正在开发速率为36Gbps的24Gb GDDR7图形存储器,支持最高96GB显存配置。据此前报道,三星已于2025年11月启动相关样品送样。
尽管目前尚未有显卡采用GDDR7规格(现役RTX Pro 6000仍为28Gbps),但业界普遍认为其将应用于下一代GeForce RTX 50 Super系列,前提是产能能够满足需求。