近日，英特尔新一代基于Intel 18A制程的处理器Panther Lake的技术细节被进一步披露，涉及金属层配置、GAA pitch参数以及背面供电技术（PowerVia）在不同电路区块的应用方式。
据曝光资料显示，Panther Lake芯片面积约为110mm²，逻辑与SRAM均采用HP（高性能）单元，未使用HD单元。逻辑单元标记为G50H180，SRAM密度为0.023，与英特尔此前公布的数据一致。M0金属层最小间距为36nm，尽管18A规格曾提到支持32nm M0，但该数值对应的是HD单元（H160）。在18A架构中，HD与HP均采用5 tracks设计，但HD为32nm pitch，HP为36nm。
在晶体管结构方面，逻辑区最小GAA pitch为76nm，而SRAM PP line pitch为52nm。金属层配置上，前侧共有15层金属层，背侧则有6层金属层，其中BM5层功能接近重布线层（RDL）。值得注意的是，尽管18A引入了PowerVia背面供电技术，但SRAM区块并未采用该架构。
英特尔此前曾解释，18A的PowerVia需要在GAA结构之间保留特定间距，以将背面电源直接连接至前侧接触层并供电至source端。然而，由于SRAM单元pitch较为紧密，若导入背面供电，可能需要将整体cell高度增加约1.1倍，以满足结构间距需求。因此，18A制程并未在SRAM区块全面推广该技术。
市场观察指出，英特尔下一代14A制程将改采BSCON架构，从背面直接连接至source端，从而降低对GAA结构间距的限制。业界预计，在新架构下，SRAM区块可能支持背面供电。
在金属材料方面，18A的MEOL contact vias以及BEOL V0/V1使用钨（W），并未采用此前传闻中的钼（Mo）。不过，英特尔计划在14A世代引入钼材料。至于M0金属层，目前仍采用铜（Cu），且14A也将延续使用铜材料。
