在全球AI算力需求持续增长的背景下，高带宽存储器（HBM）市场竞争愈发激烈。据业内人士透露，三星电子近期宣布已率先实现第六代HBM4的批量出货，单颗售价高达700美元，较前代HBM3E上涨20%至30%。值得注意的是，这一价格比SK海力士半年前供应给英伟达的HBM4高出约40%。三星此举不仅展示了其在先进存储技术领域的领先地位，也表明其正从“产能扩张”向“利润优先”战略转型。
与此同时，谷歌的加入进一步推动了HBM4E（第七代）的研发竞争。作为继英伟达之后的第二大HBM需求方，谷歌计划跳过HBM4阶段，直接在其第八代张量处理单元（TPU）中采用HBM4E。这一决策促使三星与SK海力士加速研发，双方均计划在2026年上半年完成HBM4E早期验证，并于下半年提供客户样品。
技术路线上，三星采用更先进的1c纳米DRAM工艺，峰值传输速率可达13 Gbps；而SK海力士则选择使用良率接近90%的1b工艺，以确保对英伟达等大客户的稳定供应。短期内，SK海力士凭借成熟工艺和更大的订单量占据优势，但若三星能成功提升1c工艺良率并实现大规模量产，其市场份额有望显著提升。
随着通用DRAM价格同步飙升，其毛利率已接近HBM水平，三星选择精细调控HBM4产能，而非盲目扩产，以实现整体盈利最大化。
