广芯微电子产能爬坡超预期，多款功率器件实现量产

据民德电子披露的投资者调研纪要显示，控股子公司广芯微电子的产能规划、产品结构及市场竞争力成为机构关注的重点。

公司表示，广芯微电子一期规划产能为6英寸硅基功率器件月产10万片，目前正处于稳步扩产阶段。其产能从2025年初的6,000片/月快速提升至2025年底的4万片/月，一年内增长近6倍，爬坡速度高于市场预期。

在产品结构方面，已实现量产的主力产品包括MOS场效应二极管（MFER，45V-200V），月产能约1.2万片，这是最早实现量产的产品；垂直双扩散MOSFET（VDMOS，60V-2,000V）月产能约2.6万片，主要集中在900V-1,700V特高压与60-200V高可靠性平面低压产品。

此外，广芯微电子的新品储备也较为丰富。目前，瞬态电压抑制二极管（TVS）、1,200V特高压SmartMOS，以及与晶睿电子联合开发的多层外延高性能超结（SJ）MOSFET均已进入小批量生产阶段。

值得关注的是，700V高压BCD产品在工程阶段取得重要进展，预计2026年可实现产能释放。同时，与芯微泰克合作开发的1,200V背道激光退火超薄片IGBT产品正在进行工程批试样，为未来增长奠定基础。