长鑫存储DRAM产能扩张或于2026年遇阻

据韩国媒体Chosun Biz援引市场调研机构Omdia数据，长鑫存储的月均晶圆产量已达到24万片的上限。分析认为，受美国持续收紧半导体设备出口管制，以及自身工艺良率偏低影响，长鑫存储的扩产进度可能在2026年陷入停滞。

目前，长鑫存储的DRAM产能约为SK海力士的一半，略高于三星电子的三分之一。数据显示，2025年三星DRAM产能预计为760万片，SK海力士约为597万片，美光为360万片。

美国政府正计划进一步加强对中国半导体设备的限制，这对长鑫存储的发展构成重大阻碍。据路透社报道，美国两党议员提出一项法案，要求获得《芯片与科学法案》补贴的企业，未来10年内不得采购中国制造的设备。这一政策可能进一步限制长鑫存储获取关键设备的渠道。

与此同时，长鑫存储在工艺良率方面也面临挑战。市场调研机构Counterpoint Research指出，2024年长鑫存储主力工艺1x DRAM的良率，较三星、SK海力士等国际三大存储厂商的1a工艺低42个百分点。受良率偏低影响，其实际出货量可能远低于产能账面数据。

中国正计划将第三期大基金重点投向半导体设备领域，以期实现设备自主可控。但若无法在2026年前突破技术瓶颈，长鑫存储的扩产计划恐难以为继。业内人士表示，DRAM设计与工艺复杂度较高，长鑫存储追赶三星、SK海力士的先进工艺仍需较长时间。此外，进入10纳米以下工艺阶段后，对极紫外（EUV）光刻机的需求上升，也将进一步加剧设备获取难度。