氮化镓技术将迎爆发，英飞凌发布2026年GaN发展蓝图

据英飞凌（Infineon）发布的白皮书《2026年GaN技术展望》显示，氮化镓（GaN）技术将在未来几年内实现重大突破，特别是在人工智能数据中心、电动汽车和人形机器人等领域的应用前景备受关注。

市场预测表明，2026年将成为GaN行业发展的关键节点，全球市场规模预计同比增长50%至58%。到2030年，累计收入潜力有望达到100亿美元。这一增长得益于自2025年起的大规模产能提升，以及GaN技术从消费类电子产品向数据中心架构、光伏逆变器和汽车车载充电器（OBC）等新领域的快速渗透。

英飞凌高级副总裁Johannes Schoiswohl博士透露，公司正通过推进300mm GaN功率晶圆技术，将单片晶圆的芯片数量提升至原来的2.3倍，从而显著降低成本，使其接近传统硅技术的水平。

在技术创新方面，双向开关（BDS）被认为是GaN技术的重要突破之一。它通过单片集成取代传统的背靠背方案，显著缩小芯片尺寸并降低寄生电感。预计到2026年，BDS将在光伏和电动汽车之外的领域，如AI服务器电源、大功率充电器和电机驱动系统中得到更广泛应用。

此外，英飞凌还在探索垂直GaN（GaN-on-GaN）、蓝宝石衬底和金刚石衬底等前沿材料，并开发集成功率模块（IPM）以应对寄生电感和热密度等物理挑战。未来的控制器IC将集成电流和温度感测、故障检测等功能，进一步提升系统的智能化水平与安全性。

在AI数据中心领域，GaN技术将突破功率密度瓶颈，从电源单元（PSU）扩展至电池备用单元（BBU）和中间总线转换器（IBC）。基于GaN的电源可将功率损耗降低50%，这对于支撑到2030年占全球耗电量7%的数据中心至关重要。

汽车市场也将深度受益于GaN技术。通过AEC-Q测试的汽车级器件将助力48V架构革新，提升动力系统性能并降低10%以上的系统成本。在机器人领域，GaN技术将推动更轻量化的设计和更精准的运动控制，使人形机器人的关节更加紧凑，电机驱动器体积可缩小40%。