金刚石半导体产业化迎突破

2月9日，青禾晶元官网宣布，其与西安电子科技大学联合技术团队在金刚石半导体材料领域取得重要进展。团队成功开发出基于常温键合与H-Cut技术的金刚石薄膜高质量转移工艺，为金刚石半导体从实验室迈向产业化扫清了关键障碍。

金刚石被称为“终极半导体材料”，因其超高热导率和极强耐压性，在高功率电子器件和量子传感等领域具有不可替代的价值。然而，受限于转移工艺的技术瓶颈，其产业化进程长期停滞不前。

据悉，此次联合团队开发的新工艺创新性地结合了离子注入剥离与晶圆键合技术，能够将高质量单晶金刚石薄膜从供体衬底完整剥离，并精准转移至硅等廉价受体衬底上。该工艺显著降低了金刚石表面粗糙度至0.2nm，远超传统方法水平，同时将有效剥离温度降至1000℃以下，实现与现有半导体工艺的兼容。转移面积达90%以上，且能保持材料本征性能无损，供体衬底还可重复使用，大幅降低了综合成本。

这一突破得益于青禾晶元自主研发的超原子束抛光设备与常温键合设备，核心技术均为正向研发，形成了独特技术优势。业内人士认为，该工艺的成功开发有望以经济可行的方式推动金刚石半导体与现有产业工艺的融合，充分发挥其散热和耐压的独特性能。