2026年韩国半导体展（SEMICON Korea 2026）于2月11日至13日在首尔举办。三星电子与SK海力士高层分别阐述了各自在AI时代存储器研发与技术转型的战略方向。
SK海力士副社长李成勋指出，近年来存储器技术研发的难度迅速增加。为应对这一挑战，SK海力士引入了“技术平台”概念，将主要制程模块化，使其能够跨时代应用，从而维持研发节奏。据李成勋介绍，技术平台不仅让研发阶段更有系统，还通过供应链合作加速研发、提高成功率。此外，SK海力士与合作伙伴共享技术蓝图，并建立共同测试环境，确保技术一致性。
面对未来的研发难题，李成勋强调“引进AI”已成为新趋势。例如，寻找新材料时，传统方法需耗时数年，但通过AI模型预测，筛选速度可提升400倍。SK海力士利用NVIDIA的AI平台Physics NeMo研发蚀刻制程配方，成功将晶圆测试次数缩减至原本的十分之一，便接近目标制程参数。然而，AI的引入也打破了半导体产业技术保护的封闭性，数据共享的安全性成为生态系发展的重要课题。
三星技术长宋在赫则在主题演讲中提到，未来AI数据中心不仅需要单一元件的突破，更需要跨装置、跨封装的系统级创新。三星同时具备存储器、晶圆代工、系统半导体等业务，在高带宽存储器（HBM）领域引入晶圆代工制程技术后，I/O与能源效率获得客户正面反馈。
宋在赫特别提到，HBM随着DRAM堆叠层数增加，“散热”成为竞争关键。采用混合键合（Hybrid Bonding；HCB）堆叠并运作12层与16层HBM时，已确认热阻降低20%，基础裸晶温度降低11%以上。虽然HCB正式导入时程尚未确定，但三星已在HBM业务中确保最具效率的技术量产可行性。
此外，三星还强调定制化HBM（cHBM）策略，将原属于GPU负责的部分功能整合至存储器的基础裸晶（Base Die），减少数据搬移、降低功耗负担。据悉，三星将修改DRAM晶粒的IP架构，使I/O通道长度缩短60%，功耗降低一半以上。
宋在赫还提出更紧密的3D堆叠结构，投入多重Wafer-to-Wafer（Multiple W2W）键合技术研发，以及以Z轴进行3D堆叠的zHBM概念，目标在带宽与能源效率上实现重大突破。为提升AI数据中心中芯片间连接速度，三星还计划将光通信直接应用于封装技术上。
