韩媒：中国计划2026年量产HBM3

据韩媒《每日经济》报道，中国正计划于2026年大规模量产第四代高带宽存储器（HBM3），预计投入6万片晶圆进行生产。

消息指出，长鑫存储计划在2026年将DRAM产能提升至每月30万片晶圆，其中约20%（即6万片）将专门用于HBM3的生产。相比之下，韩国的三星和SK海力士目前各自投入约15万片晶圆用于HBM相关生产，合计达到30万片。

为保持竞争优势，韩国厂商也在加速推进技术升级。据透露，三星电子已通过NVIDIA的品质测试，获得HBM4的采购订单，预计最快在2026年2月第三周开始量产并出货。与此同时，SK海力士正向NVIDIA提供有偿样品，计划在2026年第一季度内实现量产供货。

在技术差距方面，HBM领域一直是国内半导体相对落后的部分。韩国厂商自2023年开始量产HBM3，而中国厂商此前在HBM技术上的差距约为4年，但在HBM3上已缩短至3年。随着中国以国家力量推动AI半导体和HBM研发，中韩之间的技术差距正逐步缩小。

据业内人士透露，华为正与长鑫存储合作开发HBM技术。尽管目前良率较低，但预计仍会进入量产阶段。与此同时，由于全球存储器供应持续紧张，一些美国科技企业也开始认真评估采用中国生产的存储器产品。