下一代NAND闪存HBF有望10年内赶超HBM市场

据报道，韩国科学技术院（KAIST）电气电子工程系教授金正浩近日在“HBF研究内容和技术发展战略简报会”上表示，下一代NAND闪存产品高带宽闪存（HBF）预计将在10年内超越人工智能半导体核心组件高带宽存储器（HBM）的市场地位。

金正浩指出，随着人工智能的思考和推理能力变得愈加重要，从文本到语音界面的转变将不可避免地导致数据量急剧增加。他强调，“在人工智能时代，存储器将成为核心技术，HBM决定速度，HBF决定容量。” HBF通过垂直堆叠NAND闪存显著提升容量，主要用于长期存储，类似于HBM的功能扩展。

近年来，NAND闪存在半导体行业中的重要性日益凸显。随着人工智能代理服务的扩展，作为长期记忆的“键值”（KV）缓存的作用也日益增强。过去，HBM承担这一角色，但越来越多的观点认为，NAND闪存更适合这一任务。

在简报会上，由被誉为“HBM之父”的金正浩领导的KAIST TeraLab介绍了当前人工智能技术的发展趋势和内存路线图。金正浩展示了利用HBF的下一代存储器架构，包括一种在GPU两侧分别安装4个HBM和4个HBF的架构，总容量为96GB HBM和2TB HBF；以及另一种两排分别安装8个HBM和8个HBF的架构，以处理更大的容量。他形象地比喻，“HBM将作为书架，HBF将作为图书馆。”

金正浩预测，由于HBM本身无法应对急剧增加的需求，行业将不可避免地采用HBF。未来，通过同时附加HBM和HBF，可以消除容量限制。当CPU、GPU和内存有机地结合在单个基本芯片上的MCC（内存中心计算）架构完成时，所需的HBF容量将进一步增加，并且从2038年起，HBF的需求将超过HBM。

金正浩认为，以存储器为中心的人工智能时代即将到来。继HBM之后，韩国存储器制造商还必须在HBF上采取主动，以免在人工智能市场上失去影响力。