三星与SK海力士将全面启动V9 NAND扩产计划

据韩媒ZDNet Korea援引业界消息，三星电子与SK海力士计划于2026年第二季度全面启动最先进V9 NAND的转换投资，以应对AI产业带动下NAND Flash需求的急速攀升。

三星已于2024年9月开始量产280层等级的V9 NAND，但目前产能仍处于较低水平，每月合计约1.5万片。由于当时市场需求不足，三星仅在韩国平泽园区导入初期量产线。最新消息显示，三星计划自2026年第二季度起扩大V9 NAND的产能投资，目标规模为每月4~5万片。考虑到设备投资周期，预计V9 NAND将在2027年进入产能提升阶段。

三星的主要扩产据点为西安厂的X2产线，目前仍在量产第6~7代较旧的NAND产品，而相邻的X1产线已基本完成第8代NAND的转换。业内人士透露，三星原计划在2026年第一季度于西安X2产线启动V9 NAND转换，但时程略有延后。此外，韩国平泽第一园区（P1）也在准备V9 NAND的转换投资，预计2027年生产比重将大幅提升。

SK海力士同样计划在2026年第二季度展开321层V9 NAND的转换投资，预计在清州M15厂确保每月约3万片的产能。目前该厂月产能约为2万片，此次投资规模较大。业内人士指出，过去三星与SK海力士的设备投资策略高度集中于DRAM，但随着NAND市场供不应求的现象加剧，两家公司开始加速布局最先进NAND的扩产计划。