据业内最新消息，长江存储位于武汉的三期项目正在快速推进，原计划2027年实现量产的目标可能提前至2026年下半年。这一进展在全球存储芯片供应紧张的背景下显得尤为重要。
长江存储三期项目于2025年9月正式动工，项目主体为长存三期（武汉）集成电路有限责任公司，注册资本达207.2亿元。股东信息显示，长江存储持股50.19%，湖北长晟三期投资发展有限责任公司持股49.81%。后者为湖北国资旗下企业，为项目提供了坚实的资本和政策支持。
按照常规半导体建厂周期，从动工到量产通常需要数年时间。然而，据业内人士透露，长江存储已开始密集采购NAND Flash生产设备，并进行工厂启动设置作业，进度大幅提前。这种“边建厂边调试”的策略在业界极为罕见，显示出长江存储的弯道超车意图。
据《长江日报》1月29日报道，项目工地目前已进入洁净厂房设备安装阶段。项目负责人表示，这是武汉集成电路产业第三个千亿级项目，计划于2026年建成投产，预计将带动200家上下游企业聚集。
长江存储的快速扩产背后，是为了在NAND Flash市场迎接超级循环周期时强化自身竞争力。当前，NAND Flash市场需求因人工智能热潮而激增，但供应商众多，市场供不应求的状态可能难以持续。若长江存储能在2026年下半年实现量产，将占据更大竞争优势。
与此同时，三星电子、SK海力士、美光等头部厂商正将资源向高带宽内存（HBM）和高端DRAM倾斜，以满足数据中心需求。这使得智能手机、PC等消费电子市场的供应受到挤压，为长江存储提供了填补市场空白的机会。
市场研究机构Counterpoint Research数据显示，长江存储的全球市占率在2025年第一季度突破10%，第三季度进一步攀升至13%。若三期项目顺利量产，其市场份额有望继续提升。
