据韩媒EBN援引半导体业界消息，中国正在加速极紫外光（EUV）设备的自主研发进程。位于上海的上海同步辐射光源（SSRF）已成功建置一台研究用EUV设备，能够实现15纳米级图案的实验。这一进展有望显著提升先进半导体制造中关键的微影制程研发速度。
微影制程是将半导体电路绘制到硅片上的重要环节，而EUV技术利用波长13.5纳米的光线，可实现10纳米以下的超微细电路制造。目前，全球唯一能够量产EUV设备的企业是荷兰的ASML。然而，自2019年美国对中国实施制裁后，中国无法再购买EUV设备。
据路透社此前报道，深圳某研究设施已完成一台EUV设备原型机的开发。这一项目被称为“中国版曼哈顿计划”，以高度保密的方式进行。研发团队通过二手市场获取部分设备与零部件，并招募了退休的华裔ASML工程师参与项目。
尽管上海同步辐射光源的EUV设备尚未达到量产水平，但其在研发阶段已取得显著突破。韩国业界人士透露，直到2023年左右，中国仍需前往瑞士进行EUV测试。但从2024年起，中国陆续开发出微影工具，并在2025年成功实现18纳米和15纳米图案的制造。
需要注意的是，实验室中“打出15纳米图案”与制造出一台能在大规模工厂中稳定运行的商用EUV设备之间，仍存在巨大技术差距。
在韩国，仅有汉阳大学和ESOL能够开发研究用EUV光源，但由于光量不足，这些设备仅适用于光罩和薄膜等材料研究。业内人士指出，即使是研究用设备，其建造成本也极为高昂，普通研究机构难以承担。相比之下，中国的进展引发了韩国业界对自主研发EUV设备的思考。
