据韩媒Theelec报道，SK海力士近期决定大幅上调其第六代10纳米级（1c）DRAM的扩产计划，目标月产能将在一年内提升至原来的近一倍。具体来看，该公司计划到2027年第一季度末，将1c DRAM的月产能从最初的9万片提升至17万~20万片。
这一调整被认为是对当前通用DRAM市场需求和价格同步上涨的积极应对。随着存储器超级周期的到来，通用DRAM的获利能力逐渐接近高带宽存储器（HBM），这使得SK海力士更加重视对通用DRAM市场的布局。
SK海力士并非通过新建工厂来扩大产能，而是选择对现有产线进行制程转换。根据计划，韩国利川M16厂中的大部分第四代10纳米级（1a）DRAM产线将在2027年前逐步转换为1c DRAM产线，涉及月产能约为11万片。此外，部分第五代10纳米级（1b）DRAM产线也将在同期完成类似转换。
业内人士推测，SK海力士的目标是通过优化产能分配，在第六代HBM4和通用1c DRAM两条产品线之间实现利润最大化。同时，此举也被视为其在存储器市场竞争中保持优势的重要策略。
值得注意的是，SK海力士此前曾设定长期目标，计划到2028年底将1c DRAM月产能扩大至27万片。若此次扩产计划如期推进，这一目标有望提前实现。
据分析，三星电子已充分确保1c DRAM产能并完成量产性验证，而美光也指出，1-gamma（γ）制程的1c DRAM将成为2026会计年度存储器出货量增长的主要动力。SK海力士的扩产动作显然意在紧跟行业趋势，避免在竞争中落后。
为确保扩产计划顺利实施，SK海力士计划在2026年底前完成M16厂相关设备的进厂工作，并预计新增产能将在2027年上半年逐步释放。
