据韩媒The Bell援引业界消息，SK海力士正计划对韩国利川DRAM产线进行全面调整，将现有的第四代10纳米级（1a）DRAM产线全部转换为最先进的10纳米级第六代（1c）制程。这一策略不仅有助于提升整体生产力，还将在转换投资期间通过出货量调整实现战略性减产，进一步巩固DRAM的高毛利态势。
目前，SK海力士在利川的第五代10纳米级（1b）DRAM产线将继续维持现状，预计将与清州M15X的1b DRAM产线共同投入高带宽存储器（HBM）核心芯片的生产。与此同时，若此次产线转换顺利完成，未来生产1a DRAM的基地将仅剩位于中国无锡的工厂。由于无锡厂无法引入极紫外光（EUV）设备等先进制程设备，这意味着其他工厂将全面转向更先进的制程技术。
韩媒分析指出，近期全球科技巨头持续加大对人工智能（AI）领域的投资，导致DRAM市场供应趋紧，现货价格随之上涨。这一趋势促使SK海力士加速推进1c制程的布局。据SK海力士透露，1c DDR5的生产力较前一代1b DDR5提升了30%以上。
尽管1c制程的转换需要大量设备投资，且EUV光阻剂的使用量增加，导致成本压力上升，但在当前DRAM高毛利的市场环境下，这些成本并不会对SK海力士构成重大限制。业内人士普遍认为，通用型DRAM的毛利已达到60%~70%，且随着2026年第一季度DRAM价格预计进一步上涨，毛利仍有提升空间。
然而，DRAM价格的持续上涨可能抑制客户需求，而美光、铠侠等竞争对手也在积极扩充产能，这可能成为存储器毛利再度下滑的潜在风险。例如，美光近期收购了力积电P5厂，并计划从2027年下半年起在该厂生产DRAM。
