据高盛最新调查显示，2026年初DDR4现货价格较2025年12月合约价高出172%，DDR5溢价也达76%。这一现象并非短期投机所致，而是供需结构失衡的直接体现。
随着英伟达、AMD等厂商加速部署AI服务器，单台设备所需的DRAM容量已达到传统服务器的8至10倍。例如，英伟达Rubin Ultra平台单GPU需配套1536GB CPU DRAM与1024GB HBM，等效DRAM产能消耗高达4608GB，较前代增长171%。在此背景下，三星、SK海力士与美光三大原厂将有限产能优先分配给高毛利的HBM与企业级产品，导致DDR4等成熟制程芯片供应急剧收缩。现货市场陷入恐慌性抢购，甚至出现DDR4价格反超DDR5的异常现象。
机构普遍认为，如此巨大的现货溢价不可持续，合约价格将迎来强劲补涨。高盛预测，2026年DRAM合约价涨幅或超30%。若英伟达VR200系列出货达1400万颗，将拉动14.78EB（1EB=10亿GB）的DRAM需求，AI服务器已成为存储器增长的最大引擎。摩根士丹利报告强调，到2026年，“纯文本AI推理”可能消耗全球35%的DRAM与92%的NAND供应。HBM制造因依赖TSV硅通孔与先进封装工艺，良率爬坡缓慢，进一步加剧了供需矛盾。
与此同时，NAND闪存市场正开启一个更长、更稳的超级周期。摩根大通指出，AI推理对低延迟、高吞吐外部存储的依赖，正将NAND重塑为战略基础设施。英伟达在CES 2026发布的ICMS平台使企业级固态硬盘（eSSD）从被动数据仓库升级为主动参与计算的“二级内存”。机构预测，eSSD有望在2027年占据全球NAND需求的48%，首次超越智能手机与PC，成为第一大应用场景。
面对旺盛需求，存储厂商扩产却异常克制。未来三年行业资本支出占营收比重将降至15%–16%，远低于过去十年30%–50%的平均水平。技术瓶颈日益凸显，NAND堆叠层数向400层迈进，刻蚀与层间应力控制几近物理极限。2026年全球NAND晶圆产出预计仅增3%，而比特需求增速高达21%，供需缺口贯穿全年，强力支撑混合均价同比上涨40%。
在此背景下，产业链价值重估加速。南亚科、华邦电受益于DRAM报价上涨与新品放量；威刚、群联等模组厂凭借低价库存实现毛利倍增；铠侠凭借独创CBA架构，服务器营收占比将从2023年的20%跃升至2027年的61%。SK海力士通过子公司Solidigm主导超大容量QLC eSSD市场，美光则以232层TLC技术深度绑定美国本土AI数据中心建设浪潮。
终端市场承压明显，但产业逻辑已发生根本转变。笔记本电脑BOM中NAND成本占比或从低点4.3%反弹至10%以上；智能汽车单车存储配置快速从32GB向256GB演进，车企高层不再担忧“涨价”，而是警示“供应风险”。在中国市场，智能化升级正值关键窗口期，车企处境尤为艰难。
