韩国成均馆大学教授权硕俊在韩国“新一代半导体技术动向研讨会”上指出，存储器市场正处于超级循环周期。DRAM价格在短短几个月内上涨了3~4倍，但三星、SK海力士与美光的供应量仍无法满足全球需求。中国厂商或将借此机会加速进场。
权硕俊表示，不仅是消费级存储器，企业级存储器市场也可能成为中国厂商的目标。只要能占据5~10%的市场份额，这些厂商将获得技术积累与发展的关键养分。若这种供不应求的局面延续到2027年上半年甚至更久，中国厂商将有充足时间追赶技术差距。
以长鑫存储为例，2025年初其仍专注于第二代高带宽存储器（HBM2）研发，而SK海力士已开始供应HBM3E。2025年下半年有消息称，长鑫存储正加速研发HBM3，尽管尚未有明确成功信号，但其通过多次试验积累的技术经验不可忽视。
权硕俊指出，长鑫存储的快速发展得益于自身资本投入以及政府的资金支持。其研发模式也颇具特色，通过广东、上海等地的“华为重金投资”工厂进行技术测试，筛选出达标成果后，再回归自有产线进行量产验证，从而大幅缩短技术变现周期。
为保持竞争优势，顺应AI时代的存储器革新将成为关键。AI的瓶颈正从核心算力转向存储器，特别是功耗问题将决定存储器能否成功应用于边缘AI市场。尽管高带宽存储器（HBM）目前占据主导地位，但其结构性限制使其难以成为长期解决方案，未来可能被新技术取代。
权硕俊强调，未来技术演进的关键包括强化SRAM的利用、增加矽穿孔（TSV）密度、缩短存储器与核心间的距离，以及开发超越矽中介层的新型传输路径。尽管韩国厂商目前仍占据存储器市场高地，但若无法将市场利润转化为绝对技术壁垒，一旦市场冷却，资源与市占率可能被中国厂商逐步侵蚀。
