美光豪掷千亿美元，美国最大内存基地开建

据报道，美光科技宣布其位于美国纽约州奥农达加县克莱镇的DRAM内存晶圆厂正式破土动工。这一项目总投资高达1000亿美元，计划建设四座晶圆厂，未来将成为美国规模最大的半导体制造基地，预计为当地提供约5万个就业岗位。

美光表示，纽约晶圆厂将被打造成全球最先进的存储器制造基地之一，主要服务于人工智能、数据中心和高性能计算等领域的长期需求。该项目是美光在美国扩产计划的核心工程，得到了《芯片与科学法案》的政策支持。按照规划，该厂预计在2030年前后投产，并在未来十年内逐步提升产能。

据科技新闻网站Wccftech报道，美国商务部长卢特尼克在出席动土典礼时公开表示，不在美国生产的存储制造商可能面临100%的关税。这一表态被认为主要针对韩国的三星和SK海力士，同时中国台湾的南亚科和华邦电也可能受到影响。

美光指出，相关投资将助力实现其40% DRAM产品在美国本土生产的目标，同时进一步强化美国半导体供应链的韧性。