SK海力士无锡厂完成DRAM制程升级，采用双轨生产策略

据韩媒ET News援引业界消息，SK海力士在无锡的DRAM工厂成功将其制程技术从第三代10纳米级（1z）升级至第四代10纳米级（1a）。这一升级计划耗时约两年，目前该厂每月以12英寸晶圆为基准的DRAM产能达到18万至19万片，其中约90%已采用1a制程。

SK海力士在无锡的工厂是其重要的生产基地，承担了公司整体DRAM产量的30%至40%。尽管美国对中国实施了严格的半导体设备出口管制，SK海力士仍通过调整生产策略完成了升级。由于极紫外光（EUV）设备无法进入中国，公司选择将EUV相关制程安排在韩国进行，而无锡厂则专注于后续制程作业。

韩国业界通常将10纳米级DRAM制程分为多个代次，从第一代（1x）到第六代（1c），代次越高，性能越优越。目前，最先进的商用制程为1c。未来，SK海力士计划在韩国加速推动1c制程的升级，形成“韩国生产先进制程、中国生产通用型制程”的分工模式。