据韩媒Ddaily消息，NVIDIA即将推出的新款GPU“Rubin”将搭载第六代高带宽存储器（HBM4），目前正进入最后测试阶段。为抢占HBM4供应链主导权，三星电子和SK海力士两大韩国厂商展开激烈竞争，双方均已向NVIDIA提交样品，预计在2026年1月底前完成相关测试。
NVIDIA的Rubin GPU将成为2026年底次世代运算平台“Vera Rubin”的核心，相较于前代产品，其在AI推论与训练效能上分别提升5倍和3.5倍。此次GPU采用8颗HBM4存储器，通过多层DRAM芯片堆叠，大幅扩充数据带宽。其I/O脚位数达2,048个，是HBM3E的两倍，带宽提升1.5~2倍。
原计划2025年底量产、2026年第一季度放量的HBM4，因NVIDIA要求将标准速度从8Gbps提升至11Gbps，导致量产时间延后至2026年第一季度末或第二季度初。
三星采取了积极策略，试图在HBM竞争中扭转劣势。其HBM4采用第六代10纳米级1c DRAM及4纳米制程基础裸晶，显著提升电源效率与性能。业内人士认为，三星的产品已接近NVIDIA对运行速度与效能的要求。
SK海力士则凭借其在HBM3E市场的龙头地位，持续优化产品。尽管初期HBM4测试未能完全满足NVIDIA对速度及可靠性的要求，但经过多次修改后，目前已步入正轨。此外，SK海力士宣布投资19万亿韩元（约129亿美元）在清州建设后段封装厂P&T7，同时旗下M15X厂已完成无尘室建设和设备引进。
美光也在积极布局HBM4市场，计划于2026年底启用新加坡封装厂，并在2027年下半年通过日本广岛工厂将月产能提升至1.5万片（以投入晶圆为基准）。
韩国业内人士指出，随着三星快速切入长期由SK海力士主导的市场，HBM领域的竞争将愈发激烈。短期内，HBM仍将是存储器市场的关注焦点，同时有望推动两大韩厂业绩持续增长。
