韩国加速推进功率半导体国产化，SiC和GaN成重点

韩国正通过政策支持和产业投资加速下一代功率半导体的研发与商业化，以减少对海外供应商的依赖。据相关报道，韩国政府计划于1月正式成立功率半导体专项工作组，重点支持电动汽车、可再生能源系统和工业设备所需的高效芯片。

作为计划的一部分，碳化硅（SiC）功率半导体技术有望被指定为国家战略技术，享受税收优惠、补贴和监管支持。SK Keyfoundry作为核心企业之一，正在加快SiC功率器件的生产进度，预计最早在2026年第一季度实现量产。目前，该公司已完成1200V SiC MOSFET的研发，这是高压应用中的关键产品。

与此同时，基于氮化镓（GaN）的功率半导体也在快速发展。DB HiTek已完成650V GaN工艺研发，并向无晶圆厂芯片设计商提供GaN多项目晶圆，计划年内实现量产。为满足需求增长，DB HiTek正在扩建忠清北道园区洁净室，完成后其8英寸晶圆月产能将提升约23%。

这一政策举措延续了韩国此前提升非存储半导体能力的努力。2025年12月，韩国曾提出以4.5万亿韩元的公私合营投资建设专注于关键芯片和传统芯片的本土晶圆代工厂。尽管韩国在存储芯片领域占据优势，但在逻辑芯片和特种芯片制造方面仍落后于中国台湾和美国。为此，韩国政府还计划优先采购国产芯片用于国家安全基础设施，并成立总统级半导体委员会协调政策。

产业投资方面，SK Keyfoundry通过收购SK Powertech增强了SiC制造能力，而DB HiTek自2022年起已将化合物半导体定位为长期增长引擎。