惠普拟将长鑫存储纳入供应链

1月10日消息，全球DRAM供应短缺问题持续加剧，就连惠普这样的大型PC厂商也难以满足自身DRAM需求。据美国银行（BofA）最新报告显示，惠普正计划将中国DRAM供应商长鑫存储纳入其供应链，用于向亚洲和欧洲市场出口“有限”产品。

目前，长鑫存储母公司长鑫科技正筹备在中国A股科创板上市，计划募资295亿元。资金将主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造、DRAM存储器技术升级以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

据《巴伦周刊》分析师Tae kim援引美国银行研究报告指出，由于三星电子、SK海力士和美光等主要厂商的供应受限，中国的NAND Flash和DRAM供应商可能迎来更多海外品牌客户的采用机会，长鑫存储或成为具有吸引力的选择。

根据长鑫科技招股书披露，该公司已成为中国规模最大、技术最先进、布局最全的动态随机存取存储器（DRAM）研发设计制造一体化企业，采用IDM（垂直整合制造）模式。其产品涵盖DRAM晶圆、芯片和模组，覆盖DDR和LPDDR两大主流系列，已完成从DDR4、LPDDR4X到DDR5、LPDDR5/5X的产品迭代，广泛应用于服务器、移动设备、个人电脑和智能汽车等领域。

产能方面，长鑫科技在合肥和北京两地拥有3座12英寸DRAM晶圆厂，预计到2026年产能规模将达到30万片/月，位居中国第一、全球第四。基于Omdia数据测算，按2025年第二季度DRAM销售额统计，长鑫科技的全球市场份额已增至3.97%，未来有望随技术进步和产能扩张进一步提升。

长鑫科技的主要客户包括阿里云、字节跳动、腾讯、联想、小米、传音、荣耀、OPPO和vivo等，但海外头部科技厂商仍较为缺乏。若能顺利进入惠普供应链，将有助于其扩大海外市场影响力，提升品牌认可度和市场份额。

然而，惠普等美国品牌制造商采购长鑫存储DRAM产品面临的主要障碍之一是美国法规限制。根据美国NDAA法（第5949条），美国国防部禁止使用来自中国的半导体。尽管普通商业设备对来自中国的半导体并无明确限制，但仍可能引发美国政府的敏感反应。

因此，美国银行报告指出，惠普对长鑫存储DRAM模块的整合可能仅限于面向亚洲和欧洲市场的产品。这种策略或旨在避免因使用中国DRAM模块而引发美国政府的不满，同时缓解全球DRAM供应短缺压力。