在全球人工智能（AI）技术竞争日益激烈的背景下，三星电子近日宣布了一项重要计划：到2026年底前，将其高带宽存储器（HBM）的月产能提升约50%。这一决策的核心目标是为英伟达下一代AI芯片“Rubin”提供HBM4内存支持，并争取更多核心客户订单。
据媒体报道，三星计划将HBM月产能从目前的17万片晶圆（以12英寸晶圆计算）提升至25万片，增幅约为47%。为实现这一目标，三星将采取双轨策略：一方面将现有的DRAM生产线改造为HBM产线；另一方面在平泽P4工厂扩建新的专用生产线。半导体设备行业预计，相关核心设备的采购与安装工作最早可能在2026年1月启动。
对于三星而言，HBM的战略地位愈发重要。然而，面对外界的关注，三星官方态度谨慎。一位三星电子发言人表示，公司“正在评估多种方案以应对快速增长的HBM需求”，但并未对具体扩产计划予以确认。
此次扩产的背后，是三星在HBM市场面临的机遇与挑战。据报道，英伟达已确认将在2025年10月发布的下一代AI芯片“Rubin”中采用三星的HBM4内存。目前，三星的HBM4在Rubin测试芯片中表现优异，获得了积极评价。与此同时，全球AI投资热潮持续推高对HBM的需求，市场前景十分广阔。三星此次提前布局，旨在确保HBM4的供应能力，以在与英伟达的合作中占据更有利的位置。
行业人士透露，三星此次HBM扩产计划的重点将集中在HBM4上，以满足未来市场的巨大需求。
