长江存储作为国内3D NAND领域的龙头企业，近年来在推动本土设备替代方面表现尤为积极。其三期厂区更是致力于打造一条完全采用本土设备的晶圆生产线，以应对中美科技战背景下半导体供应链自主化的迫切需求。然而，从实际量产进展来看，这一目标面临诸多挑战，包括设备整合稳定性不足、先进制程技术瓶颈以及良率与成本压力。
设备整合稳定性仍需提升
尽管本土设备在单点技术上已取得一定突破，但在多设备整合方面仍存在较大困难。3D NAND生产线要求7×24小时连续运行，对设备稳定性提出了极高要求。据业内人士透露，不同品牌的本土设备在试产阶段常因界面协议和腔体环境差异，导致制程参数漂移。例如，本土蚀刻设备在连续运行超过1,000小时后，精度偏差率高于进口设备，直接影响良率和量产稳定性。
先进制程技术瓶颈难突破
在先进制程中，前段曝光设备仍是本土厂商难以逾越的技术壁垒。截至2024年，本土产线中的微影设备占比仍接近于零。尽管上海微电子（SMEE）已推出90纳米ArF机台，但与ASML的EUV设备相比，技术差距显著。随着3D NAND堆叠层数突破300层，对线宽微缩和对准精度的要求已提升至2纳米级别。由于本土曝光机在分辨率和产出效率方面难以满足需求，厂商不得不采用“双层堆叠”方案，将232层结构提升至294层等效密度。然而，这一方法延长了生产周期，增加了制造成本。
良率与成本压力显著
在良率和成本方面，全面采用本土设备生产的294层NAND晶圆目前良率仅约62%，远低于进口设备的81%。良率偏低导致单位产出成本居高不下，使得本土厂商在与三星电子、美光等国际巨头竞争时缺乏价格优势。业内评估，即使未来3至5年内良率提升至75%，在折旧和规模经济等因素影响下，仍难以实现盈利。
综上所述，长江存储在推进“全本土设备晶圆产线”方面展现了极大的决心，但如何优化设备稳定性、突破技术瓶颈并降低制造成本，仍是亟待解决的关键问题。
