长江存储自主研发的Xtacking技术，是其3D NAND架构的核心。传统3D NAND将存储单元（Memory Array）与外围电路CMOS Logic集成在同一片晶圆上，这种方式不仅占用电路空间，还限制了整体性能。为突破这一瓶颈，长江存储开发了一种全新的技术路径：通过分层制造与混合键合模式，在两片晶圆上分别独立制造存储单元与逻辑电路，再利用数百万根垂直互联通道（VIA），以面对面的方式实现混合键合。
从技术演进来看，Xtacking已从1.0版本发展到最新的4.0版本。在1.0和2.0阶段，长江存储成功奠定了64层与128层的稳定量产基础，并验证了键合技术的可靠性。进入3.0阶段后，技术实现了232层堆叠，为高性能SSD提供了坚实基础。如今，Xtacking 4.0的推出，使得长江存储的3D NAND技术进一步突破至267层，甚至迈向300层以上。
尽管“分层制造”模式显著提升了NAND的I/O速度与存储密度，并将研发周期缩短约3个月，但这一架构对制程整合能力提出了极高要求。特别是精密对准制程的良率控制，对积极引入本土设备的长江存储来说，无疑是一个巨大挑战。据业内人士谢升辉透露，这一技术路径的成功实施，标志着长江存储在3D NAND领域的持续进步。
