据韩媒IT Chosun、韩联社等援引业界消息，美国政府近期调整了对三星电子和SK海力士在中国半导体工厂设备引进的限制政策。原本需要“逐案审批”的方式，将改为“年度核准”，这一变化有望缓解企业运营压力。
美国商务部工业与安全局（BIS）此前曾计划将三星位于西安的NAND Flash工厂、SK海力士位于无锡的DRAM工厂以及大连的NAND工厂，从“核准最终用户”（VEU）名单中移除。这意味着，从2025年12月底起，这些工厂每次引进设备都需要单独申请许可，可能对企业运营造成严重影响。
然而，在宽限期内，美国政府调整了政策方向，决定采用年度总量申请的方式。企业只需提前申报年度设备需求，经一次性核准后即可实施，无需每次单独申请。尽管这一政策相较于VEU全面许可仍显严格，但相比逐案审批，已大幅降低了运营不确定性。
值得注意的是，美国政府仍明确禁止为中国境内工厂的扩建或升级提供设备支持。此外，由于半导体制造工艺的特殊性，年度设备需求难以精确预测，这可能带来一定的潜在风险。
