台积电赴美扩张或受限，中国台湾拟收紧半导体出口规则

据媒体报道，中国台湾正考虑推出新的半导体出口政策，以限制台积电向海外输出过于先进的制程技术。这项政策的核心是“N-2”规则，即仅允许出口比中国台湾最先进技术落后两代的工艺。此举被认为是为了防止台积电的扩张削弱中国台湾在全球半导体产业中的主导地位。

目前，台积电在中国台湾已实现3nm制程的大规模量产，并计划推出2nm工艺。而在美国亚利桑那州的Fab 21一期工厂，台积电主要生产4nm和5nm芯片，这些技术已符合“N-2”规则。一旦Fab 21二期工厂于2027年投产3nm工艺，将因技术差距不足两代而不再符合新政策要求。

中国台湾科技委员会成员林发成指出，若台积电在中国台湾研发出1.2nm或1.4nm级别的工艺，则仅允许出口1.6nm及以上的技术。他还强调，台积电的核心研发团队仍集中在中国台湾，确保了关键技术的开发根植于本地。

此外，中国台湾“经济部”工业发展局副局长邹宇新表示，台积电未来在美国的任何投资都将接受现行法律的审查，超过一定规模的项目需由中国台湾“经济部”投资委员会审批。这一政策或将对台积电的海外扩张步伐产生重要影响。