据Wccftech报道，英特尔目前已准备好开放其最先进的Intel 14A工艺节点，供广泛的外部客户使用。
英特尔此前披露的数据显示，相较于Intel 18A，Intel 14A的每瓦性能提升15%-20%，晶体管密度提升30%，功耗降低25%-35%。同时，Intel 14A制程及其演进版本14A-E将采用第二代RibbonFET环绕栅极晶体管（GAA）技术，以及全新的PowerDirect直接触点供电技术（18A采用的是PowerVia背面供电技术），并通过High NA EUV光刻技术实现生产。
英特尔宣布已完成ASML Twinscan EXE:5200B光刻机的安装，该设备是业界首款搭载0.55数值孔径投影光学系统的商用High-NA EUV光刻机。目前该设备已通过验收测试，将用于Intel 14A（1.4nm）工艺的研发工作。
ASML TWINSCAN EXE:5200B在50mJ/cm²的剂量下，每小时可处理175片晶圆。英特尔计划进一步优化设备性能，将产能提升至每小时200片以上。这款新系统还提升了套准精度，达到0.7nm水平。
早在2023年底，英特尔就接收了首台High-NA EUV光刻机TWINSCAN EXE:5000，并于2024年初在美国俄勒冈州的Fab D1X晶圆厂完成安装。该晶圆厂现已成为英特尔半导体技术的核心研发基地。
近日在瑞银全球科技与人工智能会议上，英特尔副总裁John Pitzer透露，公司最新一代Intel 18A制程的良率已实现“惊人提升”，采用该工艺的Panther Lake芯片将于2026年1月正式推出。
广发证券（香港）分析指出，英伟达和AMD计划将这一工艺应用于下一代服务器CPU产品。此外有传闻称，英特尔已赢得苹果公司AI服务器芯片的代工订单，不过该消息尚未得到官方证实。
广发证券表示，过去NVIDIA Grace、超微EPYC等服务器芯片高度依赖台积电的先进制程。随着英特尔14A制程逐步成熟，这些重要客户有望借此分散供应链风险，降低对单一代工厂的依赖度。
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