据Tom's Hardware报道，英特尔宣布完成业界首台商用High-NA EUV曝光机ASML Twinscan EXE:5200B的验收测试，为14A制程的量产奠定了基础。这标志着High-NA EUV技术从研发验证迈向大规模量产阶段，每小时可产出175片晶圆，成为英特尔重塑先进制程地位的重要里程碑。
英特尔指出，该曝光机在单次曝光下可实现约8纳米分辨率，突破了现行Low-NA EUV约13纳米的限制，同时将精度提升至0.7纳米水平，对推进1纳米以下节点至关重要。新一代扫描仪整合了更高功率的EUV光源和重新设计的晶圆存放系统，不仅提升了曝光效率，还有效降低了线边粗糙度（LER）、线宽粗糙度（LWR）及温度变异对良率的影响，确保设备长时间稳定运行。
英特尔强调，14A节点将成为全球首个在关键层全面采用High-NA EUV的制程，为后续更先进节点积累量产经验。与此同时，英特尔还同步推进光罩、蚀刻、量测与分辨率增强等周边制程优化，减少多重曝光需求，缩短制程周期并降低光罩数量。
除了曝光技术的突破，英特尔晶圆代工服务（Intel Foundry Services；IFS）与比利时微电子研究中心（Imec）首次展示了兼容12寸晶圆厂的二维材料（2D materials）晶体管制程方案。该方案成功在大规模量产环境中验证了2D场效晶体管（2DFETs）的接触与闸极堆叠整合。该技术采用damascene式顶部接触设计，解决了2D晶体管低阻抗、可扩展接触的难题，同时保护了原子级厚度的通道材料。
英特尔与Imec表示，虽然2D晶体管的商品化可能要到2030年代后期甚至2040年代，但这一进展已大幅降低了未来导入新材料的风险。综合来看，英特尔通过High-NA EUV推进14A制程开发，同时布局2D晶体管等后硅时代技术，以应对从短期量产到长期技术演进的需求。
