路透社：中国国产EUV原型机进入测试阶段

据路透社报道，中国已成功研发出国产极紫外光刻（EUV）原型机，并进入测试验证阶段。这一进展比市场预期更快，预计最快在2030年前实现EUV制程芯片的流片。目前，该原型机能够稳定产生13.5纳米极紫外光源，具备晶圆曝光能力，但尚未完成芯片流片，仍处于系统整合与可靠性测试阶段。

该研发项目由华为主导，使用了通过次级市场获取的旧款ASML EUV设备零组件，设备体积和复杂度与ASML现行的High-NA EUV设备相当。在美国出口管制背景下，华为正在构建自主的AI与先进半导体供应链，已在观澜设立了7纳米制程的半导体制造设施，全面接管硅晶生产链，包括材料、设备、设计和封测等环节，成为“以系统换时间”的垂直整合范例。