据外媒Wccftech报道，社交平台“X”用户@BullsLab分享的SK海力士内部分析截图显示，DRAM缺货状况可能持续到2028年。SK海力士指出，除面向数据中心的HBM和SOCAMM外，标准DRAM供应将受限，主要原因是产能增长有限，且供应商库存正迅速耗尽。
新增DRAM工厂从建厂到产能正常运营需数年时间，预计新增产能将在2028年实现。即使利用现有厂房进行技术转换，如DDR4转DDR5或NAND制程转DRAM，也需要时间，进一步限制产能增长。供应商库存急剧下降，供需矛盾将更加突出。
从需求端来看，SK海力士预计，2026年PC出货量将与2025年持平，但AI PC在PC市场的份额将从38%提升至55%，推动DRAM容量需求增长。服务器市场方面，AI需求激增将使DRAM需求增长24%，AI服务器份额预计从2025年的38%增至2030年的53%。
此外，服务器市场对NAND Flash的需求也将快速增长，预计增长18%。SK海力士预测，面向服务器的eSSD需求将同比增长36%，而消费级NAND Flash需求虽无显著增长，但QLC产品占比将扩大。
存储芯片厂商主要投资于服务器DRAM和HBM，导致NAND供应相对短缺。随着库存水平持续降低，预计NAND价格将持续上涨。
据“X”平台用户@jukan05爆料，苹果与三星和SK海力士签订的存储芯片长期协议将于2026年1月到期。两家公司计划从2026年1月起提高对苹果的存储芯片供应价格，这将对苹果带来冲击。
外资投行瑞银预测，今年第四季度DDR合约价将环比上涨35%，NAND Flash合约价将上涨20%。2026年第一季度，DDR合约定价将进一步上涨30%，NAND价格也将上涨20%。瑞银预计，全球DRAM市场供应短缺将持续至2027年第一季度。
值得注意的是，SK海力士内部文件认为供应紧张将持续到2028年，这一预测较瑞银更为悲观。SK海力士财务担当副社长金祐贤在上季度财报电话会议中表示，鉴于客户需求强劲，2026年的传统存储芯片产能已售罄。
针对Wccftech的报道，SK海力士回应称，已提前完成M15X工厂建设，并计划于明年全面量产。此外，为应对AI存储需求增长，SK海力士正积极建设包括M15X和2027年上半年开工的龙仁晶圆厂在内的先进生产设施，确保产能满足市场需求。
